Во время мероприятия TSMC 2011 Technology Symposium тайваньский контрактный производитель Taiwan Semiconductor Manufacturing Company поделился дополнительными сведениями относительно своих усилий по переходу на 450-мм кремниевые пластины.
Как уже не раз сообщалось, компания TSMC в полную силу движется к 450-мм производственной эре. Сегодня самыми распространёнными являются пластины диаметром 300 мм. Переход на 450-мм диаметр позволит в 2,25 раза увеличить площадь для печати чипов, в результате чего TSMC сократит производственные издержки и опередит на шаг конкурентов в лице GlobalFoundries, Samsung, UMC и других.
Есть и другая мотивация для TSMC по переходу на 450-мм пластины. Как говорит старший вице-президент по исследованиям и разработкам в TSMC Шанг-Уи Чанг (Shang-Yi Chiang), 450-мм производство со временем будет требовать меньшее число инженеров, что также сократит затраты производителя. В интервью ресурсу EE Times он отметил, что компании понадобится менее 7000 инженеров за 10-летний период после вступления в 450-мм эру.
 Таким образом, два фактора побуждают компанию к ускоренному вступлению в 450-мм эру. Во-первых, TSMC считает, что с течением времени будет всё сложнее привлекать хороших инженеров. Меньше заводов означает и меньшее число необходимых специалистов. Во-вторых, в конечном счёте 450-мм заводы будут необходимы, чтобы соответствовать спросу в будущем. Компания предполагает, что кремниевые пластины следующего поколения позволят ей увеличить продуктивность чипов с одной пластины в 1,8 и более раза по сравнению с 300-мм.
С другой стороны TSMC, как ожидается, будет продолжать увеличивать свои капитальные издержки на исследования и разработку, ведь прогресс требует освоения всё более тонких норм технологического процесса. Стоимость строительства 450-мм фабрики, к примеру, будет составлять порядка $10 млрд, возрастут и цены на оборудование.
Как ожидает господин Чанг, переходной точкой на 450-мм пластины станет 20-нм техпроцесс. Изначально пилотная 450-мм производственная линия будет запущена на заводе Fab 12 в тайваньском городе Хсинчу. Пилотное 20-нм производство на этом заводе планируется запустить к 2013—2014 году. К тому времени и 300-мм фабрики компании будут переходить на 20-нм техпроцесс. В целом, как ожидает TSMC, 20-нм чипы будут в основном производиться с использованием 300-мм пластин.
 Первой фабрикой, созданной изначально для 450-мм производства, станет Fab 15 в городе Тайчунг на Тайване, на её мощностях производство начнётся в 2015—2016 году. Изначально, похоже, она будет рассчитана на 20-нм нормы с последующим переходом на 14-нм техпроцесс. При переходе на 14-нм нормы TSMC планирует изменить структуру транзисторов со стандартной bulk CMOS на FinFET.
|
