 |
Статистика |
 |
|
Онлайн всего: 5 Гостей: 5 Пользователей: 0 |
 |
|
 |
Блог |
 |
Главная » 2011 » Апрель » 09 » Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе
08:04 Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе |
В начале текущего года о создании первого модуля памяти DDR4 сообщала компания Samsung. Теперь успех южнокорейского гиганта повторила и, по ее собственным словам, превзошла корпорация Hynix Semiconductor. Инженеры Hynix получили промышленный образец чипа DDR4 30-нм класса и на его основе создали модуль памяти объемом 2 Гбайт, соответствующий требованиям стандарта JEDEC DDR4-2400. Модуль выполнен в формате SODIMM, наделен функцией проверки и коррекции ошибок (ECC) и предназначен для использования в микросерверах.
Представители Hynix заявляют, что новинка с легкостью покоряет рубеж в 2400 МГц, опережая конкурента от Samsung, который при таком же напряжении питания — 1,2 В — функционирует на частоте 2133 МГц. Hynix также заявляет о 80% росте производительности по сравнению с собственной линейкой DDR3 1333 МГц, а также снижении энергопотребления за счет применения более совершенного техпроцесса. Пропускная способность представленных модулей находится в пределах 19,2 Гбайт/с. Начало массового производства новинки намечено на вторую половину 2012 года. Производитель, по словам директора по маркетингу Джибум Кима (Ji-Bum Kim), готовит широкий ассортимент модулей памяти DDR4, которые будут востребованы не только в сегменте серверов и настольных ПК, но и на рынке планшетов. Аналитическая компания IHS-iSuppli прогнозирует увеличение рыночной доли модулей памяти стандарта DDR3 в 2012 году до 71% с дальнейшим снижением до 49% в 2014 году, а уже в 2015 году половина рынка DRAM придется на модули DDR4.
|
|
Категория: HardNews |
Просмотров: 388 |
Добавил: Georg
| Рейтинг: 0.0/0 |
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ] |
 |
© Copyright 2025 CopywRite Development |
 |
|
|
